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Anomalous Stress-Induced Hump Effects in Amorphous Indium Gallium Zinc Oxide TFTs

机译：非晶铟镓锌氧化物TFT中应力异常引起的驼峰效应

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作者
Ga-Won Lee; Yu-Mi Kim; Kwang-Seok Jeong; Ho-Jin Yun; Seung-Dong Yang; Sang-Youl Lee; Hi-Deok Lee;
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年度 2012
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1. Anomalous Stress-Induced Hump Effects in Amorphous Indium Gallium Zinc Oxide TFTs [J] . Kim Yu-Mi, Jeong Kwang-Seok, Yun Ho-Jin, Transactions on Electrical and Electronic Materials . 2012,第1期

机译：非晶铟镓锌氧化物TFT中异常应力诱发的驼峰效应
2. Investigation of zinc interstitial ions as the origin of anomalous stress-induced hump in amorphous indium gallium zinc oxide thin film transistors [J] . Kim Yu-Mi, Jeong Kwang-Seok, Yun Ho-Jin, Applied Physics Letters . 2013,第17期

机译：锌间隙离子是非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管中异常应力引起的驼峰的起源的研究
3. Investigation of zinc interstitial ions as the origin of anomalous stress-induced hump in amorphous indium gallium zinc oxide thin film transistors [J] . Yu-Mi Kim, Kwang-Seok Jeong, Ho-Jin Yun, Applied Physics Letters . 2013,第17期

机译：锌间隙离子是非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管中异常应力引起的驼峰的起源的研究
4. Impacts of substrate heating schemes on characteristics of amorphous indium-gallium-zinc-oxide (a-IGZO) TFTs fabricated on flexible substrates [C] . Xiang Xiao, Lei Xie, Yang Shao, IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology . 2014

机译：基板加热方案对在柔性基板上制造的非晶铟镓锌氧化物（a-IGZO）TFT的特性的影响
5. On the Reversible Effects of Bias-Stress Applied to Amorphous Indium-Gallium-Zinc-Oxide Thin Film Transistors [D] . Bharadwaj, Anish Suresh. 2018

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7. Channel Shape Effects on Device Instability of Amorphous Indium–Gallium–Zinc Oxide Thin Film Transistors [O] . Seung Gi Seo, Seung Jae Yu, Seung Yeob Kim, 2020

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